[1] |
柏文庆, 杨江涛, 杨翠红, 陈云云. 电磁场调制下的应变黑磷烯带间光电导.
,
2024, 73(13): 137803.
doi: 10.7498/aps.73.20240445
|
[2] |
石燕, 张天辉. 自组织结构的控制: 从平衡过程到非平衡过程.
,
2020, 69(14): 140503.
doi: 10.7498/aps.69.20200161
|
[3] |
张强强, 胡建勇, 景明勇, 李斌, 秦成兵, 李耀, 肖连团, 贾锁堂. 单光子调制频谱用于量子点荧光寿命动力学的研究.
,
2019, 68(1): 017803.
doi: 10.7498/aps.68.20181797
|
[4] |
乔志星, 秦成兵, 贺文君, 弓亚妮, 张晓荣, 张国峰, 陈瑞云, 高岩, 肖连团, 贾锁堂. 通过光致还原调制氧化石墨烯寿命并用于微纳图形制备.
,
2018, 67(6): 066802.
doi: 10.7498/aps.67.20172331
|
[5] |
王谦, 刘卫国, 巩蕾, 王利国, 李亚清. 双波长自由载流子吸收技术测量半导体载流子体寿命和表面复合速率.
,
2018, 67(21): 217201.
doi: 10.7498/aps.67.20181509
|
[6] |
张希仁, 高椿明. 方波调制下自由载流子吸收测量半导体载流子输运参数的时域模型.
,
2014, 63(13): 137801.
doi: 10.7498/aps.63.137801
|
[7] |
孙伟峰, 李美成, 赵连城. 窄带隙超晶格中载流子俄歇寿命和碰撞电离率的第一性原理研究.
,
2010, 59(8): 5661-5666.
doi: 10.7498/aps.59.5661
|
[8] |
朱亦鸣, Kaz Hirakawa, 陈麟, 何波涌, 黄元申, 贾晓轩, 张大伟, 庄松林. 超低温高电场下GaAs的电子太赫兹功耗谱的研究.
,
2009, 58(4): 2692-2696.
doi: 10.7498/aps.58.2692
|
[9] |
张庆斌, 洪伟毅, 兰鹏飞, 杨振宇, 陆培祥. 利用调制的偏振态门控制阿秒脉冲的产生.
,
2008, 57(12): 7848-7854.
doi: 10.7498/aps.57.7848
|
[10] |
张希仁, 李斌成, 刘显明. 调制自由载流子吸收测量半导体载流子输运参数的三维理论.
,
2008, 57(11): 7310-7316.
doi: 10.7498/aps.57.7310
|
[11] |
舒 强, 舒永春, 张冠杰, 刘如彬, 姚江宏, 皮 彪, 邢晓东, 林耀望, 许京军, 王占国. 调制掺杂GaAs/AlGaAs 2DEG材料持久光电导及子带电子特性研究.
,
2006, 55(3): 1379-1383.
doi: 10.7498/aps.55.1379
|
[12] |
邢修三. 非平衡统计信息理论.
,
2004, 53(9): 2852-2863.
doi: 10.7498/aps.53.2852
|
[13] |
李燕飞. 非晶ZrCo合金中的超导涨落和顺电导.
,
1990, 39(6): 151-156.
doi: 10.7498/aps.39.151
|
[14] |
李玉璋, 徐仲英, 葛惟锟, 许继宗, 郑宝贞, 庄蔚华. 多量子阱结构中热载流子弛豫过程中的非平衡声子效应.
,
1989, 38(9): 1540-1544.
doi: 10.7498/aps.38.1540
|
[15] |
熊诗杰. 具有调制分布复合中心的非晶半导体超晶格中载流子的弛豫过程.
,
1986, 35(12): 1624-1633.
doi: 10.7498/aps.35.1624
|
[16] |
虞孝栋, 吴道怀, 唐福娣, 谭浩然. 用电发光法测量碳化硅少数载流子寿命的若干问题.
,
1966, 22(9): 976-981.
doi: 10.7498/aps.22.976
|
[17] |
王启明. 正弦式注入下半导体中过剩载流子的相移寿命.
,
1966, 22(3): 318-324.
doi: 10.7498/aps.22.318
|
[18] |
洪坚. 用触针下分布电阻的光电导相位法测量半导体中非平衡载流子寿命.
,
1966, 22(4): 385-403.
doi: 10.7498/aps.22.385
|
[19] |
庄蔚华, 潘贵生. 用触针下分布电阻的光电导衰退测量锗和硅中少数载流子的寿命.
,
1963, 19(3): 191-201.
doi: 10.7498/aps.19.191
|
[20] |
王守武. 用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命.
,
1963, 19(3): 176-190.
doi: 10.7498/aps.19.176
|