[1] |
黄兴杰, 邢艳辉, 于国浩, 宋亮, 黄荣, 黄增立, 韩军, 张宝顺, 范亚明. 具有阻挡层的H等离子体处理增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT研究.
,
2022, 71(10): 108501.
doi: 10.7498/aps.71.20212192
|
[2] |
梁琦, 王如志, 杨孟骐, 王长昊, 刘金伟. Al2O3衬底无催化剂生长GaN纳米线及其光学性能.
,
2020, 69(8): 087801.
doi: 10.7498/aps.69.20191923
|
[3] |
杨云畅, 武斌, 刘云圻. 双层石墨烯的化学气相沉积法制备及其光电器件.
,
2017, 66(21): 218101.
doi: 10.7498/aps.66.218101
|
[4] |
李浩, 付志兵, 王红斌, 易勇, 黄维, 张继成. 铜基底上双层至多层石墨烯常压化学气相沉积法制备与机理探讨.
,
2017, 66(5): 058101.
doi: 10.7498/aps.66.058101
|
[5] |
何琼, 许向东, 温粤江, 蒋亚东, 敖天宏, 樊泰君, 黄龙, 马春前, 孙自强. 溶胶凝胶制备氧化钒薄膜的生长机理及光电特性.
,
2013, 62(5): 056802.
doi: 10.7498/aps.62.056802
|
[6] |
王道泳, 马锦秀, 李毅人, 张文贵. 等离子体中热阴极鞘层的结构.
,
2009, 58(12): 8432-8439.
doi: 10.7498/aps.58.8432
|
[7] |
贾曦, 刘爱萍, 刘洋溢, 唐为华, 王君伟. SnO2微纳米材料的合成及其生长机理研究.
,
2009, 58(4): 2572-2577.
doi: 10.7498/aps.58.2572
|
[8] |
邹 秀, 刘惠平, 谷秀娥. 磁化等离子体的鞘层结构.
,
2008, 57(8): 5111-5116.
doi: 10.7498/aps.57.5111
|
[9] |
王叶安, 秦福文, 吴东江, 吴爱民, 徐 茵, 顾 彪. 基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究.
,
2008, 57(1): 508-513.
doi: 10.7498/aps.57.508
|
[10] |
牛志强, 方 炎. 催化剂组分对制备单壁碳纳米管的影响.
,
2007, 56(3): 1796-1801.
doi: 10.7498/aps.56.1796
|
[11] |
顾伟超, 吕国华, 陈 睆, 陈光良, 冯文然, 张谷令, 杨思泽. 管状铝质材料的等离子体电解沉积行为研究.
,
2007, 56(4): 2337-2341.
doi: 10.7498/aps.56.2337
|
[12] |
杨杭生. 等离子体增强化学气相沉积法制备立方氮化硼薄膜过程中的表面生长机理.
,
2006, 55(8): 4238-4246.
doi: 10.7498/aps.55.4238
|
[13] |
张永炬, 余森江, 葛洪良, 邬良能, 崔玉建. 硅油基底表面铁薄膜的生长机理及表面有序结构.
,
2006, 55(10): 5444-5450.
doi: 10.7498/aps.55.5444
|
[14] |
马丙现, 贾 瑜, 姚 宁, 杨仕娥, 张兵临. 模板对异构体选择性生长的动力学控制作用与化学气相沉积金刚石的生长机理.
,
2005, 54(9): 4300-4308.
doi: 10.7498/aps.54.4300
|
[15] |
张东平, 齐红基, 邵建达, 范瑞瑛, 范正修. 离子束溅射法薄膜生长中结瘤微缺陷的生长机理.
,
2005, 54(3): 1385-1389.
doi: 10.7498/aps.54.1385
|
[16] |
邹 秀, 刘金远, 王正汹, 宫 野, 刘 悦, 王晓钢. 磁场中等离子体鞘层的结构.
,
2004, 53(10): 3409-3412.
doi: 10.7498/aps.53.3409
|
[17] |
彭英才, 池田弥央, 宫崎诚一. Si纳米量子点的LPCVD自组织化形成及其生长机理研究.
,
2003, 52(12): 3108-3113.
doi: 10.7498/aps.52.3108
|
[18] |
丁 佩, 梁二军, 张红瑞, 刘一真, 刘 慧, 郭新勇, 杜祖亮. “锥形嵌套"结构CNx纳米管的生长机理及拉曼光谱研究.
,
2003, 52(1): 237-241.
doi: 10.7498/aps.52.237
|
[19] |
王引书, 孙萍, 丁硕, 罗旭辉, 李娜, 王若桢. 玻璃中CdSeS纳米晶体的生长及其性能.
,
2002, 51(12): 2892-2895.
doi: 10.7498/aps.51.2892
|
[20] |
胡颖. 微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线.
,
2001, 50(12): 2452-2455.
doi: 10.7498/aps.50.2452
|