[1] |
范达志, 刘贵立, 卫琳. 扭转形变对石墨烯吸附O原子电学和光学性质影响的电子理论研究.
,
2017, 66(24): 246301.
doi: 10.7498/aps.66.246301
|
[2] |
焦照勇, 杨继飞, 张现周, 马淑红, 郭永亮. 闪锌矿GaN弹性性质、电子结构和光学性质外压力效应的理论研究.
,
2011, 60(11): 117103.
doi: 10.7498/aps.60.117103
|
[3] |
张宇飞, 郭志友, 曹东兴. ZnO(0001)表面吸附B的电子结构和光学性质研究.
,
2011, 60(6): 066802.
doi: 10.7498/aps.60.066802
|
[4] |
黄平, 杨春. TiO2分子在GaN(0001)表面吸附的理论研究.
,
2011, 60(10): 106801.
doi: 10.7498/aps.60.106801
|
[5] |
赵佩, 郑继明, 陈有为, 郭平, 任兆玉. 单壁碳纳米管吸附氧分子的电子输运性质理论研究.
,
2011, 60(6): 068501.
doi: 10.7498/aps.60.068501
|
[6] |
牛秀明, 齐元华. 分子结点电子输运性质的理论研究.
,
2008, 57(11): 6926-6931.
doi: 10.7498/aps.57.6926
|
[7] |
窦卫东, 宋 飞, 黄 寒, 鲍世宁, 陈 桥. Ag(110)表面吸附酞菁铜分子的紫外光电子谱研究.
,
2008, 57(1): 628-633.
doi: 10.7498/aps.57.628
|
[8] |
赵新新, 陶向明, 陈文彬, 陈 鑫, 尚学府, 谭明秋. Ni(111)表面一氧化碳和氢共吸附的密度泛函理论研究.
,
2006, 55(7): 3629-3635.
doi: 10.7498/aps.55.3629
|
[9] |
曾振华, 邓辉球, 李微雪, 胡望宇. O在Au(111)表面吸附的密度泛函理论研究.
,
2006, 55(6): 3157-3164.
doi: 10.7498/aps.55.3157
|
[10] |
侯柱锋, 朱梓忠, 黄美纯, 黄荣彬, 郑兰荪. Ag,Au,K吸附在W(001)表面上的功函数随外加电场的变化.
,
2002, 51(7): 1591-1595.
doi: 10.7498/aps.51.1591
|
[11] |
王松有, 贾 瑜, 石寿珠, 马丙现, 陈良尧. Sb吸附在InP(110)表面电子性质的理论研究.
,
1999, 48(7): 1334-1339.
doi: 10.7498/aps.48.1334
|
[12] |
叶令. 纳米硅集团表面电子态的理论研究.
,
1996, 45(11): 1890-1897.
doi: 10.7498/aps.45.1890
|
[13] |
范朝阳, 鲍世宁, 李海洋, 徐亚伯. Fe/Cu(110)表面CO吸附HREELS和ARUPS研究.
,
1995, 44(3): 492-497.
doi: 10.7498/aps.44.492
|
[14] |
张训生, 董峰, 鲍德松, 杜志强. NO在Cu(110)表面吸附的角分辨光电子能谱.
,
1993, 42(7): 1194-1198.
doi: 10.7498/aps.42.1194
|
[15] |
梅良模, 张瑞勤, 关大任, 蔡政亭. 清洁Si(111)表面电子结构的理论研究.
,
1989, 38(10): 1578-1584.
doi: 10.7498/aps.38.1578
|
[16] |
吴鸣成. O在预覆盖K的Ag(110)表面的共吸附及其性质.
,
1988, 37(11): 1785-1793.
doi: 10.7498/aps.37.1785
|
[17] |
侯晓远;杨曙;董国胜;丁训民;王迅. 用HREELS研究氢在GaAs和InP的(111),(III)表面上的吸附.
,
1987, 36(8): 1070-1074.
doi: 10.7498/aps.36.1070
|
[18] |
陈芸琪, 郑德娟, 曹培林, 吴钺. 用Xα-DV方法研究CO,NO在Ⅷ族过渡金属表面的化学吸附(Ⅰ)——CO吸附在Rh(111)面的电子结构.
,
1985, 34(10): 1299-1305.
doi: 10.7498/aps.34.1299
|
[19] |
俞鸣人, 王虹川, 方志烈, 侯晓远, 王迅. InP清洁表面上电子感应吸附氧的研究.
,
1984, 33(12): 1713-1718.
doi: 10.7498/aps.33.1713
|
[20] |
李日升, 屠礼勋. 氮吸附在镍(001)表面上的P(2×2)结构.
,
1980, 29(4): 524-528.
doi: 10.7498/aps.29.524
|