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热退火、激光束和电子束等作用对纳米硅制备及其局域态发光特性的影响

吴学科 黄伟其 董泰阁 王刚 刘世荣 秦朝介

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热退火、激光束和电子束等作用对纳米硅制备及其局域态发光特性的影响

吴学科, 黄伟其, 董泰阁, 王刚, 刘世荣, 秦朝介

Effects of thermal annealing, laser and electron beam on the fabrication of nanosilicon and the emission properties of its localized states

Wu Xue-Ke, Huang Wei-Qi, Dong Tai-Ge, Wang Gang, Liu Shi-Rong, Qin Chao-Jie
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  • 在纳米晶体硅制备的过程中, 晶化处理是影响和提高纳米硅发光效率的重要制备环节. 热退火、激光退火和电子束辐照是使纳米硅样品晶化的不同方式. 实验表明: 选取适当的晶化方式和参量对制备纳米硅晶体结构至关重要, 特别是在制备硅量子点和量子面的过程中控制好参量, 可以得到较高的发光效率. 有趣的是, 在实验中发现: 当晶化时间较短(如低于20 min)时, 可以获得较好的纳晶硅结构(如量子点结构), 对应于较好的纳晶硅光致发光(PL)和掺杂局域态发光; 当晶化时间较长(如超过30 min)时, 纳米晶体硅结构被破坏, 致使PL谱逐渐减弱与消失. 结合热退火、激光退火和电子束辐照对纳米硅晶化过程, 本文建立起晶化时间对纳米硅局域态发光影响机理的物理模型, 解释了晶化时间对纳米硅局域态发光的影响.
    In the process of preparing nanosilicon, the crystallization process is an important part to influence and improve the efficiency of nanosilicon luminescence. Thermal annealing, laser annealing, and electron beam irradiation are different ways of crystallizing the nanosilicon. Different photoluminescence (PL) spectra and structures of nanocrystalline silicon are observed for different treatment time of crystallization. The experimental results show that choosing an appropriate crystallization method and parameters is very important for preparing the nanosilicon crystalline structures. High luminous efficiency can be obtained by controlling the parameters properly in the processes of preparing silicon quantum dots (QDs) and quantum surface, especially. It is discovered experimentally that better nanosilicon crystalline structure such as nanosilicon QD structure, better PL luminescence, and the doped localized state luminescence of nanocrystalline silicon can be obtained when the crystallization time is about 20 min. According to the nanosilicon crystallization process under thermal annealing, laser annealing and electron beam irradiation, a physical model of the effect of crystallization time on the nanosilicon localized state luminescence is established in this paper, which can explain the effect of crystallization time on the localized state luminescence of the nanosilicon.
      通信作者: 黄伟其, sci.wqhuang@gzu.edu.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:61465003,11264007)资助的课题.
      Corresponding author: Huang Wei-Qi, sci.wqhuang@gzu.edu.cn
    • Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61465003, 11264007).
    [1]

    Canham L T 1990 Appl. Phys. Lett. 57 1046

    [2]

    Stupca M, Alsalhi M, Alsaud T, Almuhanna A, Nayfeh M H 2007 Appl. Phys. Lett. 91 063107

    [3]

    Presti C D, Irrera A, Franz G, Crupi I, Priolo F, Iacona F, Stefano G D, Piana A, Sanfilippo D, Fallica P G 2006 Appl. Phys. Lett. 88 033501

    [4]

    Kim B H, Davis R F, Cho C H, Park S J 2009 Appl. Phys. Lett. 95 073113

    [5]

    Dal N L, Cazzanelli M, Pavesi L, Ossicini S, Pacifici D, Franzo G, Priolo F, Iacona F 2003 Appl. Phys. Lett. 82 4636

    [6]

    Ruan J, Fauchet P M, Dal N L, Cazzanelli M, Pavesi L 2003 Appl. Phys. Lett. 83 5479

    [7]

    Rani J R, Mahadevan P V P, Ajimsha R S, Jayaraj M K, Jayasree R S 2006 J. Appl. Phys. 100 014302

    [8]

    Huang W Q, Huang Z M, Cheng H Q, Miao X J, Shu Q, Liu S R, Qin C J 2012 Appl. Phys. Lett. 101 171601

    [9]

    Huang W Q, Xu L, Wu K Y 2007 J. Appl. Phys. 102 053517

    [10]

    Bao J, Tabbal M, Kim T, Charnvanichborikarn S, Williams J S, Aziz M J, Capasso F 2007 Opt. Express 15 6727

    [11]

    Huang W Q, Huang Z M, Miao X J, Yin J, Zhou N J, Liu S R, Qin C J 2014 Acta Phys. Sin. 63 034201 (in Chinese) [黄伟其, 黄忠梅, 苗信建, 尹君, 周年杰, 刘世荣, 秦朝建 2014 63 034201]

    [12]

    Qin J J, Shao J Z, Liu F J, Fang X D 2015 Infrared and Laser Engineering 44 959 (in Chinese) [秦娟娟, 邵景珍, 刘凤娟, 方晓东 2015 红外与激光工程 44 959]

    [13]

    Nie M 2014 M. S. Dissertation (Beijing: Peking University) (in Chinese) [聂朦 2014 硕士学位论文 (北京: 北京大学) ]

    [14]

    Xu Z 2014 M. S. Dissertation (Lanzhou: Lanzhou University) (in Chinese) [许壮 2014 硕士学位论文 (兰州: 兰州大学) ]

    [15]

    Huang L, Jin J, Shi W M, Yuan Z J, Yang W G, Cao Z C, Wang L J, Zhou J, Lou Q H 2014 Chin. Phys. B 23 034208

    [16]

    Qin G G, Liu X S, Ma S Y, Lin J, Yao G Q, Lin X Y, Lin K X 1997 Phys. Rev. B 55 12876

    [17]

    Wolkin M V, Jorne J, Fauchet P M 1999 Phys. Rev. Lett. 82 197

    [18]

    Huang W Q, Jin F, Wang H X, Xu L, Wu K Y, Liu S R, Qin C J 2008 Appl. Phys. Lett. 92 221910

    [19]

    Huang W Q, Huang Z M, Miao X J, Liu S R, Qin C J 2012 Acta Phys. Sin. 61 214205 (in Chinese) [黄伟其, 黄忠梅, 苗信建, 刘世荣, 秦朝建 2012 61 214205]

  • [1]

    Canham L T 1990 Appl. Phys. Lett. 57 1046

    [2]

    Stupca M, Alsalhi M, Alsaud T, Almuhanna A, Nayfeh M H 2007 Appl. Phys. Lett. 91 063107

    [3]

    Presti C D, Irrera A, Franz G, Crupi I, Priolo F, Iacona F, Stefano G D, Piana A, Sanfilippo D, Fallica P G 2006 Appl. Phys. Lett. 88 033501

    [4]

    Kim B H, Davis R F, Cho C H, Park S J 2009 Appl. Phys. Lett. 95 073113

    [5]

    Dal N L, Cazzanelli M, Pavesi L, Ossicini S, Pacifici D, Franzo G, Priolo F, Iacona F 2003 Appl. Phys. Lett. 82 4636

    [6]

    Ruan J, Fauchet P M, Dal N L, Cazzanelli M, Pavesi L 2003 Appl. Phys. Lett. 83 5479

    [7]

    Rani J R, Mahadevan P V P, Ajimsha R S, Jayaraj M K, Jayasree R S 2006 J. Appl. Phys. 100 014302

    [8]

    Huang W Q, Huang Z M, Cheng H Q, Miao X J, Shu Q, Liu S R, Qin C J 2012 Appl. Phys. Lett. 101 171601

    [9]

    Huang W Q, Xu L, Wu K Y 2007 J. Appl. Phys. 102 053517

    [10]

    Bao J, Tabbal M, Kim T, Charnvanichborikarn S, Williams J S, Aziz M J, Capasso F 2007 Opt. Express 15 6727

    [11]

    Huang W Q, Huang Z M, Miao X J, Yin J, Zhou N J, Liu S R, Qin C J 2014 Acta Phys. Sin. 63 034201 (in Chinese) [黄伟其, 黄忠梅, 苗信建, 尹君, 周年杰, 刘世荣, 秦朝建 2014 63 034201]

    [12]

    Qin J J, Shao J Z, Liu F J, Fang X D 2015 Infrared and Laser Engineering 44 959 (in Chinese) [秦娟娟, 邵景珍, 刘凤娟, 方晓东 2015 红外与激光工程 44 959]

    [13]

    Nie M 2014 M. S. Dissertation (Beijing: Peking University) (in Chinese) [聂朦 2014 硕士学位论文 (北京: 北京大学) ]

    [14]

    Xu Z 2014 M. S. Dissertation (Lanzhou: Lanzhou University) (in Chinese) [许壮 2014 硕士学位论文 (兰州: 兰州大学) ]

    [15]

    Huang L, Jin J, Shi W M, Yuan Z J, Yang W G, Cao Z C, Wang L J, Zhou J, Lou Q H 2014 Chin. Phys. B 23 034208

    [16]

    Qin G G, Liu X S, Ma S Y, Lin J, Yao G Q, Lin X Y, Lin K X 1997 Phys. Rev. B 55 12876

    [17]

    Wolkin M V, Jorne J, Fauchet P M 1999 Phys. Rev. Lett. 82 197

    [18]

    Huang W Q, Jin F, Wang H X, Xu L, Wu K Y, Liu S R, Qin C J 2008 Appl. Phys. Lett. 92 221910

    [19]

    Huang W Q, Huang Z M, Miao X J, Liu S R, Qin C J 2012 Acta Phys. Sin. 61 214205 (in Chinese) [黄伟其, 黄忠梅, 苗信建, 刘世荣, 秦朝建 2012 61 214205]

  • [1] 潘佳萍, 张冶文, 李俊, 吕天华, 郑飞虎. 结合电子束辐照与压电压力波法空间电荷分布实时测量的空间电荷包迁移行为的研究.  , 2024, 73(2): 027701. doi: 10.7498/aps.73.20231353
    [2] 文大东, 邓永和, 戴雄英, 吴安如, 田泽安. 钽过冷液体等温晶化的原子层面机制.  , 2020, 69(19): 196101. doi: 10.7498/aps.69.20200665
    [3] 王尘, 许怡红, 李成, 林海军, 赵铭杰. 基于两步退火法提升Al/n+Ge欧姆接触及Ge n+/p结二极管性能.  , 2019, 68(17): 178501. doi: 10.7498/aps.68.20190699
    [4] 杜玉峰, 崔丽娟, 李金升, 李然然, 万发荣. 铝中气泡在电子束辐照下的异常放热现象.  , 2018, 67(21): 216101. doi: 10.7498/aps.67.20181140
    [5] 李杰, 高进, 万发荣. 电子束辐照下的注氘铝的结构变化.  , 2016, 65(2): 026102. doi: 10.7498/aps.65.026102
    [6] 玛丽娅, 李豫东, 郭旗, 艾尔肯, 王海娇, 曾骏哲. In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究.  , 2015, 64(15): 154217. doi: 10.7498/aps.64.154217
    [7] 钟勉, 杨亮, 任玮, 向霞, 刘翔, 练友运, 徐世珍, 郭德成, 郑万国, 袁晓东. 高功率脉冲电子束辐照SiO2的光学和激光损伤性能.  , 2014, 63(24): 246103. doi: 10.7498/aps.63.246103
    [8] 郭德成, 蒋晓东, 黄进, 向霞, 王凤蕊, 刘红婕, 周信达, 祖小涛. 紫外脉冲激光退火发次对KDP晶体抗损伤性能的影响.  , 2013, 62(14): 147803. doi: 10.7498/aps.62.147803
    [9] 李论雄, 苏江滨, 吴燕, 朱贤方, 王占国. 电子束诱导单壁碳纳米管不稳定的新观察.  , 2012, 61(3): 036401. doi: 10.7498/aps.61.036401
    [10] 赵衡煜, 俞平胜, 郭鑫, 苏良碧, 李欣年, 方晓明, 杨秋红, 徐军. 电子束辐照诱导Bi:α-BaB2O4 单晶近红外宽带发光的研究.  , 2011, 60(9): 097802. doi: 10.7498/aps.60.097802
    [11] 宋超, 陈谷然, 徐骏, 王涛, 孙红程, 刘宇, 李伟, 陈坤基. 不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质.  , 2009, 58(11): 7878-7883. doi: 10.7498/aps.58.7878
    [12] 李世彬, 吴志明, 李 伟, 于军胜, 蒋亚东, 廖乃镘. 氢化硅薄膜的晶化机理研究.  , 2008, 57(11): 7114-7118. doi: 10.7498/aps.57.7114
    [13] 姚 尧, 方忠慧, 周 江, 李 伟, 马忠元, 徐 骏, 黄信凡, 陈坤基, 宫本恭幸, 小田俊理. 激光干涉结晶法制备一维周期结构的纳米硅阵列.  , 2008, 57(8): 4960-4965. doi: 10.7498/aps.57.4960
    [14] 周 江, 韦德远, 徐 骏, 李 伟, 宋凤麒, 万建国, 徐 岭, 马忠元. 激光晶化形成纳米硅材料的场电子发射性质研究.  , 2008, 57(6): 3674-3678. doi: 10.7498/aps.57.3674
    [15] 刘艳松, 陈 铠, 乔 峰, 黄信凡, 韩培高, 钱 波, 马忠元, 李 伟, 徐 骏, 陈坤基. 尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证.  , 2006, 55(10): 5403-5408. doi: 10.7498/aps.55.5403
    [16] 程伟东, 孙民华, 李佳云, 王爱屏, 孙永丽, 刘 芳, 刘雄军. Cu60Zr30Ti10非晶合金弛豫和晶化过程的小角X射线散射研究.  , 2006, 55(12): 6673-6676. doi: 10.7498/aps.55.6673
    [17] 周 锋, 梁开明, 王国梁. 电场热处理条件下TiO2薄膜的晶化行为研究.  , 2005, 54(6): 2863-2867. doi: 10.7498/aps.54.2863
    [18] 邹和成, 乔 峰, 吴良才, 黄信凡, 李 鑫, 韩培高, 马忠元, 李 伟, 陈坤基. 激光干涉结晶技术制备二维有序分布纳米硅阵列.  , 2005, 54(8): 3646-3650. doi: 10.7498/aps.54.3646
    [19] 于 威, 何 杰, 孙运涛, 朱海丰, 韩 理, 傅广生. 碳化硅薄膜脉冲激光晶化特性研究.  , 2004, 53(6): 1930-1934. doi: 10.7498/aps.53.1930
    [20] 戚泽明, 施朝淑, 王正, 魏亚光, 谢亚宁, 胡天斗, 李福利. 非晶和纳米ZrO2·Y2O3(15%)的X射线衍射与扩展X射线吸收精细结构研究.  , 2001, 50(7): 1318-1323. doi: 10.7498/aps.50.1318
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-08-13
  • 修回日期:  2016-02-06
  • 刊出日期:  2016-05-05

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