NMOS器件中单粒子瞬态电流收集机制的二维数值分析

卓青青; 刘红侠; 郝跃

doi:10.7498/aps.61.218501

摘要

通过二维数值模拟, 深入分析了NMOSFET在不同漏极偏置、不同栅长度和不同注入位置下的单粒子效应. 研究结果表明: 漏极偏置电压越高, 栅长度越短, 器件的单粒子瞬态电流越大, 收集电荷越多. 通过研究不同注入位置情况下的单粒子效应表明: 单粒子瞬态脉冲电流的大小和器件中该处对应的电场强度成比例变化. 研究结果为设计抗单粒子器件提供了重要指导.

关键词:

The single event effects in NMOSFET at different values of drain bias, gate length and striking location are thoroughly analyzed by two-dimensional numerical simulator in this paper. The results show that single event transient current increases with the increase of drain bias and with the decrease of gate length. Furthermore, single event transient current varies with the electric field at some places in the device. The present study provides important guidance on the devices design of mitigating the single event effects.

Keywords:

作者及机构信息

1.
西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071

基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61076097, 60936005)、教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号: 708083)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号: 200807010010)资助的课题.

Authors and contacts

1.
Key Laboratory for Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China

Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61076097,60936005), Cultivation Fund of the Key Scientific and Technical Innovation Project, Ministry of Education of China (Grant No. 708083) and Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education, China (Grant No. 200807010010).

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