搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

负电子亲和势GaN光电阴极光谱响应特性研究

乔建良 常本康 钱芸生 杜晓晴 张益军 高频 王晓晖 郭向阳 牛军 高有堂

引用本文:
Citation:

负电子亲和势GaN光电阴极光谱响应特性研究

乔建良, 常本康, 钱芸生, 杜晓晴, 张益军, 高频, 王晓晖, 郭向阳, 牛军, 高有堂

Study of spectral response characteristics of negative electron affinity GaN photocathode

Qiao Jian-Liang, Chang Ben-Kang, Qian Yun-Sheng, Du Xiao-Qing, Zhang Yi-Jun, Gao Pin, Wang Xiao-Hui, Guo Xiang-Yang, Niu Jun, Gao You-Tang
PDF
导出引用
  • 针对负电子亲和势(NEA) GaN光电阴极成功激活后的量子效率问题,利用自行研制的紫外光谱响应测试仪器,测试了成功激活的NEA GaN光电阴极的光谱响应,给出了230—400 nm波段内反射模式NEA GaN光电阴极的量子效率曲线.测试结果表明:反射模式下NEA GaN光电阴极在230nm具有高达37.4%的量子效率,在GaN光电阴极阈值365 nm处仍有3.75%的量子效率,230 nm和400 nm之间的抑制比率超过2个数量级.文中还结合国外的研究结果,综合分析了影响量子效率的因素.
    Aiming at determining the quantum efficiency of fully activated negative electron affinity(NEA) GaN photocathodes, we have investigated the spectral response of NEA GaN photocathodes by using a dedicated ultraviolet spectral response measurement instrument. The quantum efficiency curve of reflection-mode NEA GaN photocathode has been obtained in the band region from 230nm to 400nm. The experimental results show that the quantum efficiency of reflection-mode NEA GaN photocathode reaches up to 37.4% at 230 nm, and at 365 nm, which is the threshold of GaN photocathode, the quantum efficiency remains 3.75%. A sharp cutoff characteristic with over two orders of magnitude degradation from 230 nm to 400 nm has been observed. Based on the former research results, the factors influencing quantum efficiency were also comprehensively analyzed in the paper.
    • 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号:60871012,60701013)和河南省教育厅自然科学研究计划项目(批准号:2010C510009)资助的课题.
    [1]

    [1]You D, Tang Y W, Zhao D G, Xu J T, Xu Y H, Gong H M 2006 Chinese Journal of Semiconductors 27 896(in Chinese)[游达、汤英文、赵德刚、许金通、徐运华、龚海梅 2006 半导体学报 27 896]

    [2]

    [2]Zhou M, Zhao D G 2008 Acta Phys. Sin. 57 4570 (in Chinese)[周梅、赵德刚 2008 57 4570]

    [3]

    [3]Siegmund O H W, Tremsin A S, Martin A, Malloy J, Ulmer M, Wessels B 2003 Proc. SPIE 5164 134

    [4]

    [4]Spicer W E, HerreraGómez A 1993 Proc. SPIE 2022 19

    [5]

    [5]Ulmer M P, Wessels B W, Han B, Gregie J, Tremsin A, Siegmund O H W 2003 Proc. SPIE 5164 144

    [6]

    [6]Uchiyama S, Takagi Y, Niigaki M, Kan H 2005 Appl. Phys. Lett. 86 103511

    [7]

    [7]Qiao J L, Tian S, Chang B K, Du X Q, Gao P 2009 Acta Phys. Sin. 58 5847 (in Chinese)[乔建良、田思、常本康、杜晓晴、高频 2009 58 5847]

    [8]

    [8]Zou J J, Chang B K, Yang Z 2007 Acta Phys. Sin.56 2992 (in Chinese)[邹继军、常本康、杨智 2007 56 2992]

    [9]

    [9]Qian Y S, Zong Z Y, Chang B K 2000 Vacuum Science and Technology(China) 20 305 (in Chinese) [钱芸生、宗志园、常本康 2000 真空科学与技术 20 305]

    [10]

    ]Machuca F 2003 Ph. D. Dissertation ( Stanford: StanfordUniversity)

    [11]

    ]Siegmund O, Vallerga J, Mcphate J, Malloy J, Tremsin A, Martin A, Ulmer M, Wessels B 2006 Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 567 89

    [12]

    ]Kang J Y, Huang Q S, Ogawa T 1994 Acta Phys. Sin.. 48 1372 (in Chinese)[康俊勇、黄启圣、小川智哉 1999 48 1372]

    [13]

    ]Zou J J 2007 Ph. D. Dissertation (Nanjing University of Science and Technology) (in Chinese)[邹继军2007 博士学位论文(南京理工大学)]

    [14]

    ]Zou J J, Chang B K, Yang Z, Gao P, Qiao J L, Zeng Y P 2007 Acta Phys. Sin. 56 6109 (in Chinese)[ 邹继军、常本康、杨智、高频、乔建良、曾一平 2007 56 6109]

    [15]

    ]Ulmer M P, Wessels W B, Shahedipour F S, Korotkov R Y, Joseph C, Nihashi T 2001 Proc. SPIE 4288 246

  • [1]

    [1]You D, Tang Y W, Zhao D G, Xu J T, Xu Y H, Gong H M 2006 Chinese Journal of Semiconductors 27 896(in Chinese)[游达、汤英文、赵德刚、许金通、徐运华、龚海梅 2006 半导体学报 27 896]

    [2]

    [2]Zhou M, Zhao D G 2008 Acta Phys. Sin. 57 4570 (in Chinese)[周梅、赵德刚 2008 57 4570]

    [3]

    [3]Siegmund O H W, Tremsin A S, Martin A, Malloy J, Ulmer M, Wessels B 2003 Proc. SPIE 5164 134

    [4]

    [4]Spicer W E, HerreraGómez A 1993 Proc. SPIE 2022 19

    [5]

    [5]Ulmer M P, Wessels B W, Han B, Gregie J, Tremsin A, Siegmund O H W 2003 Proc. SPIE 5164 144

    [6]

    [6]Uchiyama S, Takagi Y, Niigaki M, Kan H 2005 Appl. Phys. Lett. 86 103511

    [7]

    [7]Qiao J L, Tian S, Chang B K, Du X Q, Gao P 2009 Acta Phys. Sin. 58 5847 (in Chinese)[乔建良、田思、常本康、杜晓晴、高频 2009 58 5847]

    [8]

    [8]Zou J J, Chang B K, Yang Z 2007 Acta Phys. Sin.56 2992 (in Chinese)[邹继军、常本康、杨智 2007 56 2992]

    [9]

    [9]Qian Y S, Zong Z Y, Chang B K 2000 Vacuum Science and Technology(China) 20 305 (in Chinese) [钱芸生、宗志园、常本康 2000 真空科学与技术 20 305]

    [10]

    ]Machuca F 2003 Ph. D. Dissertation ( Stanford: StanfordUniversity)

    [11]

    ]Siegmund O, Vallerga J, Mcphate J, Malloy J, Tremsin A, Martin A, Ulmer M, Wessels B 2006 Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 567 89

    [12]

    ]Kang J Y, Huang Q S, Ogawa T 1994 Acta Phys. Sin.. 48 1372 (in Chinese)[康俊勇、黄启圣、小川智哉 1999 48 1372]

    [13]

    ]Zou J J 2007 Ph. D. Dissertation (Nanjing University of Science and Technology) (in Chinese)[邹继军2007 博士学位论文(南京理工大学)]

    [14]

    ]Zou J J, Chang B K, Yang Z, Gao P, Qiao J L, Zeng Y P 2007 Acta Phys. Sin. 56 6109 (in Chinese)[ 邹继军、常本康、杨智、高频、乔建良、曾一平 2007 56 6109]

    [15]

    ]Ulmer M P, Wessels W B, Shahedipour F S, Korotkov R Y, Joseph C, Nihashi T 2001 Proc. SPIE 4288 246

  • [1] 王东智, 张益军, 李诗曼, 童泽昊, 唐嵩, 石峰, 焦岗成, 程宏昌, 富容国, 钱芸生, 曾玉刚. 532 nm响应增强的AlGaAs光电阴极.  , 2024, 73(11): 118503. doi: 10.7498/aps.73.20240253
    [2] 邓文娟, 周甜, 王壮飞, 吴粤川, 彭新村, 邹继军. 光和电注入变带隙AlGaAs/GaAs 负电子亲和势阵列阴极理论建模和结构特性分析.  , 2022, 71(23): 237901. doi: 10.7498/aps.71.20221330
    [3] 王傲霜, 肖清泉, 陈豪, 何安娜, 秦铭哲, 谢泉. Mg2Si/Si雪崩光电二极管的设计与模拟.  , 2021, 70(10): 108501. doi: 10.7498/aps.70.20201923
    [4] 乔建良, 徐源, 高有堂, 牛军, 常本康. 反射式变掺杂负电子亲和势GaN光电阴极量子效率研究.  , 2017, 66(6): 067903. doi: 10.7498/aps.66.067903
    [5] 张益军, 甘卓欣, 张瀚, 黄帆, 徐源, 冯琤. 超高真空系统中GaAlAs光电阴极的重新铯化研究.  , 2014, 63(17): 178502. doi: 10.7498/aps.63.178502
    [6] 杨永富, 富容国, 张益军, 王晓晖, 邹继军. GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响.  , 2012, 61(6): 068501. doi: 10.7498/aps.61.068501
    [7] 杨永富, 富容国, 马力, 王晓晖, 张益军. 反射式GaN光电阴极表面势垒对量子效率衰减的影响.  , 2012, 61(12): 128504. doi: 10.7498/aps.61.128504
    [8] 郭向阳, 常本康, 王晓晖, 张益军, 杨铭. 反射式负电子亲和势GaN光电阴极的光电发射及稳定性研究.  , 2011, 60(5): 058101. doi: 10.7498/aps.60.058101
    [9] 王晓晖, 常本康, 钱芸生, 高频, 张益军, 乔建良, 杜晓晴. 透射式负电子亲和势GaN光电阴极的光谱响应研究.  , 2011, 60(5): 057902. doi: 10.7498/aps.60.057902
    [10] 乔建良, 常本康, 钱芸生, 高频, 王晓晖, 徐源. 负电子亲和势GaN真空面电子源研究进展.  , 2011, 60(10): 107901. doi: 10.7498/aps.60.107901
    [11] 乔建良, 常本康, 钱芸生, 杜晓晴, 王晓晖, 郭向阳. 反射式NEA GaN光电阴极量子效率恢复研究.  , 2011, 60(1): 017903. doi: 10.7498/aps.60.017903
    [12] 付小倩, 常本康, 李飙, 王晓晖, 乔建良. 负电子亲和势GaN光电阴极的研究进展.  , 2011, 60(3): 038503. doi: 10.7498/aps.60.038503
    [13] 刘文宝, 赵德刚, 江德生, 刘宗顺, 朱建军, 张书明, 杨辉. 高阻氮化镓外延层的异常光吸收.  , 2010, 59(11): 8048-8051. doi: 10.7498/aps.59.8048
    [14] 乔建良, 常本康, 杜晓晴, 牛军, 邹继军. 反射式负电子亲和势GaN光电阴极量子效率衰减机理研究.  , 2010, 59(4): 2855-2859. doi: 10.7498/aps.59.2855
    [15] 杜晓晴, 常本康. 负电子亲和势光电阴极量子效率公式的修正.  , 2009, 58(12): 8643-8650. doi: 10.7498/aps.58.8643
    [16] 胡建民, 吴宜勇, 钱勇, 杨德庄, 何世禹. GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照损伤效应.  , 2009, 58(7): 5051-5056. doi: 10.7498/aps.58.5051
    [17] 乔建良, 田思, 常本康, 杜晓晴, 高频. 负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究.  , 2009, 58(8): 5847-5851. doi: 10.7498/aps.58.5847
    [18] 张伟英, 邬小鹏, 孙利杰, 林碧霞, 傅竹西. ZnO/Si异质结的光电转换特性研究.  , 2008, 57(7): 4471-4475. doi: 10.7498/aps.57.4471
    [19] 徐向晏, 叶振华, 李志锋, 陆 卫. 中波HgCdTe双色红外探测器优化模拟计算.  , 2007, 56(5): 2882-2889. doi: 10.7498/aps.56.2882
    [20] 杨文正, 侯洵, 陈烽, 杨青. BRD96N光调制吸收增强现象的实验研究.  , 2004, 53(1): 296-300. doi: 10.7498/aps.53.296
计量
  • 文章访问数:  8784
  • PDF下载量:  727
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-08-20
  • 修回日期:  2009-09-23
  • 刊出日期:  2010-05-15

/

返回文章
返回
Baidu
map