[1] |
刘姿, 张恒, 吴昊, 刘昌. Al纳米颗粒表面等离激元对ZnO光致发光增强的研究.
,
2019, 68(10): 107301.
doi: 10.7498/aps.68.20190062
|
[2] |
李少波, 殷春浩, 徐振坤, 李佩欣, 吴彩平, 冯铭扬. 基于电子顺磁共振的锶铁氧体磁特性研究.
,
2015, 64(10): 107502.
doi: 10.7498/aps.64.107502
|
[3] |
李佩欣, 冯铭扬, 吴彩平, 李少波, 侯磊田, 马嘉赛, 殷春浩. 基于电子顺磁共振的锌卟啉敏化TiO2光催化性机理的研究.
,
2015, 64(13): 137601.
doi: 10.7498/aps.64.137601
|
[4] |
叶松, 王向贤, 侯宜栋, 张志友, 杜惊雷. 自组装银膜增强8-羟基喹啉铝(Alq3)光致发光的实验和理论研究.
,
2014, 63(8): 087802.
doi: 10.7498/aps.63.087802
|
[5] |
殷春浩, 李佩欣, 侯磊田, 徐振坤, 吴彩平, 李少波. 基于电子顺磁共振的ZnTPP激发态及其TEMPO各向异性的研究.
,
2014, 63(9): 097201.
doi: 10.7498/aps.63.097201
|
[6] |
杨 柳, 殷春浩, 焦 扬, 张 雷, 宋 宁, 茹瑞鹏. 掺入Ni元素的LiCoO2晶体光谱结构及电子顺磁共振g因子.
,
2006, 55(4): 1991-1996.
doi: 10.7498/aps.55.1991
|
[7] |
谢林华, 丘 岷. MgF2:Mn2+光谱、超精细常数和局部结构的关联.
,
2005, 54(12): 5845-5848.
doi: 10.7498/aps.54.5845
|
[8] |
胡晓君, 李荣斌, 沈荷生, 何贤昶, 邓 文, 罗里熊. 掺杂金刚石薄膜的缺陷研究.
,
2004, 53(6): 2014-2018.
doi: 10.7498/aps.53.2014
|
[9] |
姜 勇, 李 广, 曾祥勇, 杨应平, 袁松柳, 金嗣昭. 钙钛矿Mn基氧化物的电子顺磁共振行为的实验研究.
,
2000, 49(9): 1846-1851.
doi: 10.7498/aps.49.1846
|
[10] |
王俊忠, 张永照, 张淑艳, 杨子元, 余万伦. Na_2ZnCl_4·3H_2O:Mn~(2+)电子顺磁共振参量与晶格缺陷研究.
,
1995, 44(11): 1814-1818.
doi: 10.7498/aps.44.1814
|
[11] |
孙威立, 李兆民. 静水压下MgO:Fe~(3+)和MgO:Mn~(2+)的电子顺磁共振研究.
,
1995, 44(10): 1661-1669.
doi: 10.7498/aps.44.1661
|
[12] |
张新明, 曾葆青, 余万伦. KZnF3:Cr3+和KMgF3:Cr3+四角对称电子顺磁共振参量与晶格缺陷的研究.
,
1994, 43(4): 637-645.
doi: 10.7498/aps.43.637
|
[13] |
刘湘娜, 吴晓薇, 鲍希茂, 何宇亮. 用等离子体增强化学汽相沉积方法制备纳米晶粒硅薄膜光致发光.
,
1994, 43(6): 985-990.
doi: 10.7498/aps.43.985
|
[14] |
韩世莹, 眭云霞, 王继杨, 刘耀岗, 魏景谦. 掺V4+的KTiOPO4单晶的电子顺磁共振研究.
,
1993, 42(5): 859-863.
doi: 10.7498/aps.42.859
|
[15] |
韩世莹, 眭云霞, 王福泉. 宝石级锆石中Gd3+的电子顺磁共振.
,
1991, 40(1): 149-153.
doi: 10.7498/aps.40.149
|
[16] |
韩世莹. 单晶电子顺磁共振研究中零场分裂张量主轴的确定.
,
1989, 38(2): 317-322.
doi: 10.7498/aps.38.317
|
[17] |
邹元燨, 汪光裕. 电子顺磁共振“AsGa”的光淬灭行为与EL2亚稳态机理.
,
1988, 37(7): 1197-1202.
doi: 10.7498/aps.37.1197
|
[18] |
金通政, 韩世莹, 睦云霞. α-Al2O3单晶中Fe3+离子的电子顺磁共振.
,
1988, 37(1): 147-151.
doi: 10.7498/aps.37.147
|
[19] |
董太乾. 一种新型的电子顺磁共振波谱仪.
,
1963, 19(6): 407-408.
doi: 10.7498/aps.19.407
|
[20] |
董太乾. 调频调场式电子顺磁共振波谱仪.
,
1963, 19(12): 816-823.
doi: 10.7498/aps.19.816
|