| [1] |
焦飞, 蒋军, 颉录有, 张登红, 董晨钟, 陈展斌. Cd+离子5s2S1/2→5p2P3/2电子碰撞激发截面和退激辐射光子极化度的理论研究.
,
2015, 64(23): 233401.
doi: 10.7498/aps.64.233401
|
| [2] |
贾 瑜, 杨仕娥, 马丙现, 李新建, 胡 行. 稳定的GaAs (2 5 1 1)高密勒指数表面的电子结构.
,
2004, 53(10): 3515-3520.
doi: 10.7498/aps.53.3515
|
| [3] |
张发培, 郭红志, 徐彭寿, 祝传刚, 陆尔东, 张新夷, 梁任又. Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究.
,
2000, 49(1): 142-145.
doi: 10.7498/aps.49.142
|
| [4] |
吴 镝, 刘国磊, 吴义政, 董国胜, 金晓峰, 沈孝良. Co100-xMnx合金在GaAs(001)表面的生长结构和磁性的实验研究.
,
1999, 48(12): 2320-2326.
doi: 10.7498/aps.48.2320
|
| [5] |
胡海天, 来 冰, 袁泽亮, 丁训民, 侯晓远. K/GaAs(100)表面的氮化.
,
1998, 47(6): 1041-1046.
doi: 10.7498/aps.47.1041
|
| [6] |
袁泽亮, 丁训民, 胡海天, 李哲深, 杨建树, 缪熙月, 陈溪滢, 曹先安, 侯晓远, 陆尔东, 徐世红, 徐彭寿, 张新夷. 中性(NH4)2S溶液钝化GaAs(100)表面的研究.
,
1998, 47(1): 68-74.
doi: 10.7498/aps.47.68
|
| [7] |
班大雁, 方容川, 杨风源, 徐世宏, 徐彭寿, 袁诗鑫. Ge/ZnSe(100)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究.
,
1997, 46(3): 587-595.
doi: 10.7498/aps.46.587
|
| [8] |
徐世红, 陆尔东, 余小江, 潘海斌, 张发培, 徐彭寿. 稀土金属Sm/Si(100)2×1界面形成电子结构的同步辐射光电子能谱研究.
,
1996, 45(11): 1898-1904.
doi: 10.7498/aps.45.1898
|
| [9] |
陆尔东, 徐彭寿, 余小江, 徐世红, 潘海斌, 张新夷. GaAs(100)表面硫钝化的新方法:CH3CSNH2/NH4OH处理.
,
1996, 45(4): 715-720.
doi: 10.7498/aps.45.715
|
| [10] |
赵特秀, 王晓平, 吴建新, 徐彭寿, 陆尔东, 许振嘉, 季航. 室温下InP(100)表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究.
,
1995, 44(4): 622-628.
doi: 10.7498/aps.44.622
|
| [11] |
陈艳, 董国胜, 张明, 金晓峰, 陆尔东, 潘海斌, 徐彭寿, 张新夷, 范朝阳. Mn/GaAs(100)界面电子结构的同步辐射光电子能谱研究.
,
1995, 44(1): 145-151.
doi: 10.7498/aps.44.145
|
| [12] |
陈维德, 金高龙, 崔玉德, 段俐宏, 高志强. CaAs(100)的(NH4)2Sx和P2S5/(NH4)2Sx表面钝化.
,
1995, 44(8): 1328-1334.
doi: 10.7498/aps.44.1328
|
| [13] |
卢学坤, 郝平海, 贺仲卿, 侯晓远, 丁训民. P与GaAs(100)表面相互作用的温度效应.
,
1992, 41(10): 1728-1736.
doi: 10.7498/aps.41.1728
|
| [14] |
王向东, 胡际璜, 葛毓青, 戴道宣. Si(100)表面电子态的总电流谱研究.
,
1992, 41(6): 992-998.
doi: 10.7498/aps.41.992
|
| [15] |
卢学坤, 侯晓远, 董国胜, 丁训民. α-P/GaAs(100)界面的光电子能谱研究.
,
1992, 41(4): 689-696.
doi: 10.7498/aps.41.689
|
| [16] |
许掌龙, 刘古, 季振国, 周小霞. V(001)表面上(4×1)-O,(2×2)-S两超结构的角分辨光电子谱.
,
1988, 37(2): 311-317.
doi: 10.7498/aps.37.311
|
| [17] |
丁训民, 董国胜, 杨曙, 陈平, 王迅. In/GaAs(111)界面形成过程的电子能谱研究.
,
1985, 34(5): 634-639.
doi: 10.7498/aps.34.634
|
| [18] |
金晓峰, 丰意青, 庄承群, 王迅. 用热脱附谱研究氢在Si(100)清洁表面的吸附.
,
1984, 33(6): 747-754.
doi: 10.7498/aps.33.747
|
| [19] |
徐亚伯, 董国胜, 丁训民, 杨曙, 王迅. GaAs(100)表面(4×1)结构的UPS研究.
,
1983, 32(10): 1339-1343.
doi: 10.7498/aps.32.1339
|
| [20] |
俞鸣人, 杨光, 王迅. 用X射线光电子能谱测定InP(100)清洁表面的原子浓度比.
,
1983, 32(6): 799-802.
doi: 10.7498/aps.32.799
|
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