[1] |
周勋, 杨再荣, 罗子江, 贺业全, 何浩, 韦俊, 邓朝勇, 丁召. 反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究.
,
2011, 60(1): 016109.
doi: 10.7498/aps.60.016109
|
[2] |
梁文锡, 朱鹏飞, 王瑄, 聂守华, 张忠超, 曹建明, 盛政明, 张杰. 超快电子衍射系统的时间空间分辨能力研究及其优化.
,
2009, 58(8): 5539-5545.
doi: 10.7498/aps.58.5539
|
[3] |
刘运全, 梁文锡, 张 杰, 吴建军, 田进寿, 王俊峰, 赵宝升. 飞秒电子衍射系统的静态特性研究.
,
2006, 55(12): 6500-6505.
doi: 10.7498/aps.55.6500
|
[4] |
万 威, 唐春艳, 王玉梅, 李方华. GaN晶体中堆垛层错的高分辨电子显微像研究.
,
2005, 54(9): 4273-4278.
doi: 10.7498/aps.54.4273
|
[5] |
徐彭寿, 邓锐, 潘海斌, 徐法强, 谢长坤, 李拥华, 刘凤琴, 易布拉欣·奎热西. GaN表面极性的光电子衍射研究.
,
2004, 53(4): 1171-1176.
doi: 10.7498/aps.53.1171
|
[6] |
崔堑, 黄绮, 陈弘, 周均铭. 高能电子衍射研究H钝化偏角Si衬底上Si,GexSi1-x的分子束外延生长模式.
,
1996, 45(4): 647-654.
doi: 10.7498/aps.45.647
|
[7] |
陈可明, 金高龙, 盛篪, 周国良, 蒋维栋, 张翔九, 俞鸣人. Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察.
,
1990, 39(2): 237-244.
doi: 10.7498/aps.39.237
|
[8] |
蓝田, 徐飞岳. 用低能电子衍射研究GaAs(110)表面的弛豫.
,
1989, 38(3): 357-365.
doi: 10.7498/aps.38.357
|
[9] |
冯国光. 位错的会聚束电子衍射研究.
,
1986, 35(2): 279-282.
doi: 10.7498/aps.35.279
|
[10] |
. GH302合金中C14型Laves相的会聚束电子衍射研究.
,
1985, 34(5): 681-684.
doi: 10.7498/aps.34.681
|
[11] |
唐景昌, 唐叔贤. 光电子衍射谱Fourier变换分析方法的垂直单电子束模型.
,
1984, 33(3): 362-369.
doi: 10.7498/aps.33.362
|
[12] |
冯国光, 杨翠英, 周玉清, 唐棣生. 结合会聚束电子衍射和高分辨电子显微术来测定十四铌酸锂的结构.
,
1984, 33(11): 1581-1585.
doi: 10.7498/aps.33.1581
|
[13] |
杨翠英, 周玉清, 舒启茂, 夏鸿昶, 陈应平, 冯国光. 用会聚束电子衍射测定LiZnTa3O9,LiCaTa3O9的对称性.
,
1984, 33(12): 1687-1692.
doi: 10.7498/aps.33.1687
|
[14] |
杨翠英, 冯国光, 周玉清, 唐棣生. 三铌酸锂空间群的会聚束电子衍射测定.
,
1984, 33(11): 1586-1588.
doi: 10.7498/aps.33.1586
|
[15] |
冯国光. 大角度会聚束电子衍射的新方法.
,
1984, 33(9): 1287-1290.
doi: 10.7498/aps.33.1287
|
[16] |
李方华, 樊汉节. 氟碳铈钡矿的电子衍射和晶格象研究.
,
1982, 31(9): 1206-1214.
doi: 10.7498/aps.31.1206
|
[17] |
杨奇斌, 张修睦, 常昕. 倾转晶体电子衍射图的自动标定.
,
1982, 31(7): 977-980.
doi: 10.7498/aps.31.977
|
[18] |
李方华, 王荫君, 高俊杰, 滕晨明, 常龙存. 钆钴非晶合金薄膜的电子衍射研究.
,
1980, 29(2): 199-204.
doi: 10.7498/aps.29.199
|
[19] |
叶恒强. 有简单取向关系的两晶体间电子衍射图相重的规律.
,
1979, 28(1): 78-87.
doi: 10.7498/aps.28.78
|
[20] |
李方华. 用电子衍射研究廿三烷醇的晶体结构.
,
1965, 21(2): 247-252.
doi: 10.7498/aps.21.247
|